지식저장(큐레이팅+내 생각)

유전율 투자율 : http://blog.naver.com/miseos/220727992295 - 매질 매질은 하전된 입자(charged particles)를 포함하고 있음. 매질이 전자계에 노출되었을 경우, 하전된 입자는 반응하여 전류를 흐르게 하고 내부에서의 전파가 진공과 다르게 변형을 일으킴. - 매질의반응 미시적인 관점 : 격자구조(microscopic lattice structure)를 통해 설명 거시적인 관점 : 매질특성 관계식(constitutive relations) 자유공간은 0을 아래첨자로 한다. - 매질특성 관계식은 매질의 전기적 특성(분극,자화,전도)을 가늠하는 판단기준. 무엇이 dominant하냐에 따라 매질을 분류 - 판단기준 유전체(dielectric) : 분극(polarizat..

오차값, 목표값, 제어량, 현재값 이 4가지 값을 이해하고 들어가자. 1. 비례제어(P 제어) -> y(t) = K Z(t) -> 오차(=편차, 목표값 - 현재값) 에 비례(Proportional)하게 제어해서 비례제어다. -> 목표값과 현재값의 편차를 줄이는 제어. -> 즉, 오차가 크면 크게, 작으면 작게 제어량을 조절. -> ex) 음량이나, 전압등을 측정할 때, 크게 먼저 조작하고, 작게 미세조정하는 경우 -> 목표값에 가까워졌는데(정상상태, Steady-state), -> 수렴하지 못하고(이득 !=0) 오차가 있는 상태 유지 -> 이것은 이득조정만으로는 제어 불능 -> 이것을 잔류편차라고 함. 2. I 제어 -> 오차의 누적값을 제어량으로 정상상태 오차를 줄임 낮춥니다. -> 목표값에 정확히 수..

1. 축전기 그릇 기, 器 자를 쓴다. 영어로 - condenser = capacitor 캐패시터를 의미한다. 2. 축전지 못 지, 池를 사용한다. 연못이란 뜻이다. 영어로 Storage battery 즉, 밧데리이다. 정리 축전기 = capacitor, 축전지 = battery 이공계 용어는 한자로 이상하게 번역해 놓은게 많다. 한자는 특성 상, 아와 어는 천지 차이이고, 우리말로 연결이 애매하기 때문이다. 그래서 용어들은 꼭, 영어번역을 찾아서 암기하는 것이 필요하다. + 기호 개폐기 : S => Switch 배선용 차단기 : B => Breaker NFB : no fuse breaker MCCB(MCB) : molded case circuit breaker 개폐기와 차단기의 차이 개폐기 : ON/O..

기본적으로는 과년도 문제 풀면서 자동으로 외운다. 각종 뜻 A : 알루미늄 C : XLPE[가교형 폴리에틸렌] : Controll[제어용] : chloroprene D: 인입용 F : flexible CB : 콘크리트직매 R : rubber, 고무 V: PVC , 비닐 N : 네온 O : out, 옥외[outdoor weather proof] W : wire CN : coaxial neutral[동심중성] 순서 : ~절연 ~시스 ~케이블(전선) 케이블 시스 [cable sheath] 케이블 자체를 외부의 충격으로부터 보호하기 위해 감싸는 외피를 가리킵니다.시스(sheath)는 본래 칼집이라는 뜻을 갖고 있습니다. 부드럽고 강한 소재의 PVC 등이 이용됩니다.' http://tip.daum.net/ques..

6. BJT ; Junction이 2개있는 반도체 소자(pnp, npn이 있음) - 동작 조합 (eb, cb의 bias 조합의 따라 4가지가 가능) a. active ; GAIN,신호증폭, 앰프구현에 사용 ; 첫 np를 수평으로 맞추고 마지막 n의 경사를 키운다. ; drift(major carrier) -> diffusion(minor) -> E-field(major) 로 carrier 이동 b. saturation ; Switch 구현에 사용 c. cutoff ; off - state(동작 안함) d. inversion; 안씀 7. MOSFET ; FET는 제어단자에 따라 이름 붙인다(JFET,MESFET...) ; 그 중 MOSFET는 제어단자가 단자부터 보면 METAL - SiO2 - Si 로 이..

반도체 검증 구간 1. Wafer test( DC 특성및물리적이상유무check) - 공정의이상유무를파악 물리적검사&회로의특성 중 대표적으로 파악이 가능한 각종 소자에 대한 기본test를 실시한다. - 이상유무를파악하기방법? 2. PKT 2.1. Packaging - Wafer 가공이후각각의chip을package 형태로만들게되며약2주간의시간이소요된다 - 목적에따라여러가지형태를취한다 - Package 비용 또한 무시하지 못 할 portion 2.2 Package test(Full 특성검증) - 제품의 성능을 test하며 filed에서 문제없는 제품을 만드는 것이 목표 - Wafer test 에서 처리가능한 항목이 많을 수 록 package 비용절약 - 각 회로의 특성을 표현할 수 있는 대표적인 결과값을 te..

- 실리콘 - intrinsic 특징, 전자, 양성자 농도 - 홀의 이동, moblility - fermi level, fermi-dirac - 밴드갭, 밴드갭 조정과 온도, 도핑과 밴드갭 변화 (1번째 파라미터) - n0p0 =ni^2 - non equilibrium & excessive carrier & generation, recombination - steatdy - state - quasi - fermi level - PN junction의 전류이동 ; minority 농도차에 의한 diffusion; drift는 별로.. - built in potential barrier ; eV는 p가 높아서, 전위는 n-type이 높다. ; 농도가 원인이 아니라 energy barrier 때문에 전위가 높..

1. 실리콘(Silicon, Si) - 원자번호 14, (2+8+4), 최외각 전자 4개. - 원자에 종속된 전자는(궤도 도는것), 양자화 된 에너지를 가진다.(법칙임) - 원자 하나일 때는 아래 왼쪽그림처럼 깔끔함. - 원자 여러개인 고체에서는 간섭&반발로 촘촘해지고, 멀어지면서 오른쪽 모양이 나온다. - 이 결과 에너지밴드 & 밴드갭 모양이 나타난다. - 에너지밴드 ; 모든구간에 존재가능한 양자 준위가 있는 것. - 밴드갭; 고체의 에너지준위 분포를 봤을때의 빈구간, Conduction band와 Valence band 의 차이. - 에너지 준위는 낮은거 부터 채워서, Valence band -> conduction band 순으로 채운다. - 상태로 봤을때, conduction band의 에너지를 ..

- 앞서 소자의 종류에서 단자별 분류를 했었다. (2단자, 3단자, 다단자..) - 가장 기본이 되는 소자는 2단자이며 나머지는 이것의 변형이라 생각해도 좋다 (물론 성질은 완전 다르다) - 따라서, 1. Diode -> 2. TR, SCR -> IC의 순서로 진행하겠다. 1. Diode ; PN Junction이다. P-type & N-type이 만나면 계면(hetero)에서 Depletion Region이 생기고, 이때의 electric potential을 built-in(기본적으로 달고 나오는) potential 이라 한다. 이 부분에 기생(parasitic) Capacitance 성분도 있다. Cdep, junction capacitance라고도 함. PN junction에 거는 Bias에 따라 ..

1. 분류하기 1.1. 역할에 따라.(수동 or 능동) - 수동 소자 : 저항기, 유도자, 축전기, 스위치 등 - 능동 소자 : 다이오드, 트랜지스터, 집적회로 등 1.2 단자 수에 따라 (다이오드,트랜지스터, 사이리스터, IC ....) 1.2.1 - 2단자 소자 (다이오드) 정전압 다이오드, 가변용량 다이오드, 발광 다이오드 (LED), 핀 다이오드 , 쇼트키장벽 다이오드（SBD), 레이저 다이오드, 광다이오드 , 태양 전지정전기보호 다이오드, AC변환 다이오드, 배리스터 (varistor),에사키 다이오드 , 건 다이오드 1.2.2 - 3단자 소자(TR, SCR) 트랜지스터 접합형 트랜지스터, 달링턴 트랜지스터, 전계효과 트랜지스터 (FET) , 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT), 단접합 ..