반도체 테스트(WT & PKT& ESD..)

 

반도체 검증 구간

 

 

1. Wafer test( DC 특성및물리적이상유무check)

- 공정의이상유무를파악

물리적검사&회로의특성 중 대표적으로 파악이 가능한 각종 소자에 대한 기본test를 실시한다.

- 이상유무를파악하기방법?

 

2. PKT

2.1. Packaging

- Wafer 가공이후각각의chip을package 형태로만들게되며약2주간의시간이소요된다

- 목적에따라여러가지형태를취한다

- Package 비용 또한 무시하지 못 할 portion

 

2.2 Package test(Full 특성검증)

- 제품의 성능을 test하며 filed에서 문제없는 제품을 만드는 것이 목표

- Wafer test 에서 처리가능한 항목이 많을 수 록 package 비용절약

- 각 회로의 특성을 표현할 수 있는 대표적인 결과값을 test 하여Pass/Fail로써

설계검증을실시한다.

- Test Time을 줄이기 위하여 대표test 항목을 찾아 적용하여야 한다

- 제조과정에서 일어나는time loss 는비용증가를의미

 

3. ESD(Electric static discharge) 의종류

HBM : Human Body model : 인체접촉model을가정하여만들었으며

2000~3000V 수준을견디도록설계한다.

MM : Machine model : 기계의접촉을가정한model 로써set 제조시발생하는

ESD를model로하였으나최근에는MM 조건은고려하지않는것이추세.

약200V 의수준으로판단한다.

CDM : Charged Device model : 최근중요성이강조되는model 이고

chip 에전하를충전한후방전시켜이상유무를

판단하고500V 수준에서test 실시한다.

 

4. 신뢰성시험

4.1 신뢰성시험

- Post simulation 시 Tr등의 특성을 열화시키는cadence tool 에 의해서

미리 검증을 하여10년 보증을 할 수 있는 회로설계를 실시함.

- 실제Package 실험을 통해 그 사용연한을 보증한다.

 

4.1.1 HTS 검증

; Hot temperature storage test

;높은온도( 예; 80도), 낮은온도( 예; -45도) 등에 IC를 보관하고,

;일정 시간이 경과한 후 꺼내어 test 실시하여 그 신뢰성을 보증함

 

4.1.2 HTOL 검증

: High temperature operating life test

;10년간의 보증을 할 경우

;그 chip을10년 동안 동작시켜 보증을 확인 할 수 없으므로

;가속 수명시험을 통하여 보증한다.

 

4.2 신뢰성시험조건

; 보통80도,

; 전원전압을+10% 이상으로 setting 하여

; 500시간 내지 1000시간 동안 동작을 시켜 이상유무를 판단한다.

 

- 산출물로는Test report 가 있고,

내용으로는, 각 항목별Min, Max 에 대한 산포도, 항목별pass/fail 유무 등이 있다.

 

- 신뢰성부서인 QA 부서와 설계 부서 간의 충돌이 존재가능

- 신뢰성 시험을 Spice 에 적용하고자 많은 노력

 

5. Mass production

 

- 반도체 process 중에서 그 품질을 결정하는 것은 산포이다.

 

- Normal 조건에서는 이상적인 결과를 보이므로 그 품질을 보증할 수 있으나 실제

Process 에는 Non ideal factor가 무수히 개입이 된다.

 

- Pre및 Post simulation에서 각 소자의 corner 조건에 대하여 검증하였듯이

; 실제 반도체 process에서도 그 산포를 cover하기 위하여 공정 조건을 인위적으로조작하여 corner특성을 대변할 수 있는 wafer를 제작

 

- 최근 추가된 검증 process : 실장test