- 실리콘
- intrinsic 특징, 전자, 양성자 농도
- 홀의 이동, moblility
- fermi level, fermi-dirac
- 밴드갭, 밴드갭 조정과 온도, 도핑과 밴드갭 변화 (1번째 파라미터)
- n0p0 =ni^2
- non equilibrium & excessive carrier & generation, recombination
- steatdy - state
- quasi - fermi level
- PN junction의 전류이동 ; minority 농도차에 의한 diffusion; drift는 별로..
- built in potential barrier
; eV는 p가 높아서, 전위는 n-type이 높다.
; 농도가 원인이 아니라 energy barrier 때문에 전위가 높다.
- 걸어주는 전압으로 밴드갭 조정이 가능하다. (2번째 파라미터)
- 전류이동은 neutral쪽을 본다.(SCR 아니고)
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